| 型号：IPB120N06S4-02 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 120A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 140µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 195nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 15750pF @ 25V |
| 功率_最大 | 188W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市欧立现代科技有限公司 | 林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
| 深圳市华胜英科技有限公司 | 郭13711580601 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
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